Atomically Flat Silicon Surface and Silicon /Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs
Atomically Flat Silicon Surface and Silicon /Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs
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用于 (100) 表面取向大直径晶圆的原子级平坦硅表面和硅/绝缘体界面形成技术，推出高性能和低噪声金属-绝缘体-硅 FET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kuroda;T. Suwa;A. Teramoto;R. Hasebe;S. Sugawa;T. Ohmi
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