Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays
Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays
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伽马射线照射下 SiC MOS 电容器中的氧离子感应电荷
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Kojima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohshima;N. Iwamoto;S. Onoda;T. Makino;S. Nozaki;K. Kojima
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6H-SiC 二极管通过高达数百 MeV 的各种带电粒子的电荷收集特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
Materials Science Forum 615-617
影响因子：
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作者：
S. Onoda;N. Iwamoto;M. Murakami;T. Ohshima;T. Hirao;K. Kojima;K. Kawano;I. Nakano
通讯作者：
I. Nakano
SiC-BGSIT的辐射硬度评估
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.941
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
Yasunori Tanaka;S. Onoda;A. Takatsuka;T. Ohshima;T. Yatsuo
通讯作者：
T. Yatsuo
重离子微束在SiC p n 和n p 二极管中感应瞬态电流的比较研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
Nucl. Inst. Meth. B (in press)
影响因子：
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作者：
T. Ohshima;N. Iwamoto;S. Onoda;T. Kamiya;K. Kawano
通讯作者：
K. Kawano
氧离子入射在 6H-SiC MOS 电容器中感应的瞬态电流
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.517
发表时间：
2009
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
N. Iwamoto;S. Onoda;T. Ohshima;K. Kojima;K. Kawano
通讯作者：
K. Kawano
开发用于单粒子现象的微束和激光研究的新数据收集系统和室
DOI：
10.1016/s0168-583x(01)00565-1
发表时间：
2001
影响因子：
1.3
作者：
J. Laird;T. Hirao;H. Mori;S. Onoda;T. Kamiya;H. Itoh
通讯作者：
H. Itoh