Comparative Study of Transient Current Induced in SiC p+n and n+p Diodes by Heavy Ion Microbeams
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重离子微束在SiC p n 和n p 二极管中感应瞬态电流的比较研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kawano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohshima;N. Iwamoto;S. Onoda;T. Kamiya;K. Kawano
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从 6H-SiC 高压 p-i-n 整流器反向恢复波形中提取载流子寿命
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1065
发表时间：
1997
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
N. Ramungul;V. Khemka;T. Chow;M. Ghezzo;J. Kretchmer
通讯作者：
J. Kretchmer
影响因子：
1.8
作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;K. Mishima;S. Hishiki;N. Iwamoto;K. Kawano
通讯作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;K. Mishima;S. Hishiki;N. Iwamoto;K. Kawano
经金离子照射的 6H-SiC n p 二极管的电荷收集效率的降低
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Materials Science Forum 556-557
影响因子：
--
作者：
T. Ohshima;T. Satoh;M. Oikawa;S. Onoda;S. Hishiki;T. Hirao;T. Kamiya;T. Yokoyama;A. Sakamoto;R. Tanaka;I Nakano;G. Wagner;H. Itoh
通讯作者：
H. Itoh
3C-SiC 肖特基势垒场效应晶体管的工作温度高达 400 °C
影响因子：
4
作者：
H. Daimon;M. Yamanaka;M. Shinohara;E. Sakuma;S. Misawa;K. Endo;S. Yoshida
通讯作者：
S. Yoshida
γ射线辐照对6H-SiC MOSFET的影响
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00560-1
发表时间：
1999
影响因子：
3.6
作者：
T. Ohshima;M. Yoshikawa;H. Itoh;Y. Aoki;I. Nashiyama
通讯作者：
I. Nashiyama