Verification of band offsets and electron effective masses in GaAsN/GaAs quantum wells: Spectroscopic experiment versus 10-band k·p modeling

Verification of band offsets and electron effective masses in GaAsN/GaAs quantum wells: Spectroscopic experiment versus 10-band k·p modeling
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GaAsN/GaAs 量子阱中能带偏移和电子有效质量的验证:光谱实验与 10 能带 k·p 建模

DOI:
10.1063/1.4810920
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发表时间:
2013
影响因子:
3.2
通讯作者:
M. Kamp
M. Kamp
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
K. Ryczko;G. Sęk;P. Sitarek;A. Mika;J. Misiewicz;F. Langer;S. Höfling;A. Forchel;M. Kamp

文献摘要

参考文献

被引文献

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