Strain distribution due to ion implantation revealed by extremely asymmetric x-ray diffraction
Strain distribution due to ion implantation revealed by extremely asymmetric x-ray diffraction
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极其不对称的 X 射线衍射揭示了离子注入引起的应变分布
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Emoto 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Kashiwagi;R.Kuroda;Y.Hama;M.Washio et al.;K.Hirose 他;K.Akimoto 他;T.Emoto 他
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影响因子：
--
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N. Cho
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影响因子：
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通讯作者：
M. Nagaki