Ultra-large-scale quantum mechanical calculation and nanostructure process
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超大规模量子力学计算与纳米结构工艺
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井口雄介;星健夫;藤原毅夫;星健夫;T. Hoshi
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掺氟二氧化硅薄膜介电常数降低机理
DOI：
10.1149/1.1837850
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
Sangwoo Lim;Y. Shimogaki;Y. Nakano;K. Tada;H. Komiyama
通讯作者：
H. Komiyama
超过 22 nm 节点的 SiCH 低 k 帽的新型前体：硅杂环戊烷前体在等离子体增强化学气相沉积过程中的反应以及 SiCH 薄膜的结构分析
DOI：
10.1143/jjap.50.08ka01
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Shimizu;N. Tajima;T. Kada;S. Nagano;Y. Shimogaki
通讯作者：
Y. Shimogaki
使用基于三甲基硅烷的 PECVD 工艺的金属间电介质新解决方案
影响因子：
2.3
作者：
M. Loboda
通讯作者：
M. Loboda
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影响因子：
1.5
作者：
A. Uedono;P. Verdonck;A. Delabie;J. Swerts;T. Witters;T. Conard;M. Baklanov;S. Elshocht;N. Oshima;R. Suzuki
通讯作者：
R. Suzuki
“激光分子束外延法室温生长 AIN/TiN 外延多层”固体薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Thin Solid Films 516
影响因子：
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作者：
Miao Zhang;・広川 二郎・安藤 真;Wakana Hara;Wakana Hara
通讯作者：
Wakana Hara