Atomic Layer Deposition of HfO2 Thin Films Employing a Heteroleptic Hafnium Precursor
Atomic Layer Deposition of HfO2 Thin Films Employing a Heteroleptic Hafnium Precursor
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采用杂配铪前体的 HfO2 薄膜的原子层沉积
DOI：
10.1002/cvde.201106934
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发表时间：
2012
影响因子：
--
通讯作者：
A. Devi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. P. Milanov;H. Parala;C. Wenger;C. Baristiran-Kaynak;K. Lakribssi;T. Toader;C. Bock;D. Rogalla;H.-W. Becker;U. Kunze;A. Devi
首次展示了杂配胺化铪-胍酸盐前体通过水辅助原子层沉积（ALD）工艺沉积HfO 2薄膜的应用。HfO 2薄膜在100-300 °C的温度范围内使用化合物[Hf（NMe 2）2（NMe 2-Guan）2]（1）生长。该化合物显示出自限性ALD型生长特性，在100-225 °C的温度范围内，生长速率为每循环1.0-1.2 μ m。的饱和行为和膜厚度的线性依赖性作为循环次数的函数进行验证，在各种温度范围内的ALD窗口。通过原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、卢瑟福背散射谱（RBS）、X射线光电子能谱（XPS）和电学测量对沉积的HfO 2薄膜进行了表征。为了直接比较前体性能与母体烷基酰胺[Hf（NMe 2）4]（2）的性能，还在类似的工艺条件下使用化合物2进行ALD实验，并且在这种情况下没有观察到典型的ALD特征。
The application of a heteroleptic hafnium amide‐guanidinate precursor for the deposition of HfO2thin films via a water‐assisted atomic layer deposition (ALD) process is demonstrated for the first time. HfO2films are grown in the temperature range 100–300 °C using the compound [Hf(NMe2)2(NMe2‐Guan)2] (1). This compound shows self‐limiting ALD‐type growth characteristics with growth rates of the order of 1.0–1.2 Å per cycle in the temperature range 100–225 °C. The saturation behavior and a linear dependence on film thickness as a function of number of cycles are verified at various temperatures within the ALD window. The as‐deposited HfO2films are characterized by atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), X‐ray photoelectron spectroscopy (XPS), and electrical measurements. For a direct comparison of the precursor performance with that of the parent alkyl amide [Hf(NMe2)4] (2), ALD experiments are also performed employing compound2under similar process conditions, and in this case no typical ALD characteristics are observed.
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DOI：
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2009
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影响因子：
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通讯作者：
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A. Devi