An X-band GaN combined solid-state power amplifier
An X-band GaN combined solid-state power amplifier
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X波段GaN组合固态功率放大器
DOI：
10.1088/1674-4926/30/9/095001
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发表时间：
2009-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
郝跃
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
胡仕刚;杨林安;冯辉;段焕涛;陈炽;马晓华;郝跃
基于自主研发的2.5mm栅宽AlGaN/GaNHEMT工艺，在SiC衬底上制作了X波段GaN组合固态功率放大模块。该模块由AlGaN/GaN HEMT、威尔金森功率耦合器、直流偏置电路和微带线组成。对于每个放大器，我们使用双极性直流电源。在输入端和输出端采用特殊的RC网络，在输入端的直流电源和晶体管栅极之间采用电阻，以消除各放大器的自激振荡和低频串扰。同时，设计了长度为3λ/4的威尔金森功率耦合器分支，以消除两个放大器的自激振荡。微带短截线用于输入匹配和输出匹配。在Vds = 27 V，Vgs = -4.0 V，8 GHz连续波工作条件下，放大器模块的线性增益为5.6 dB，功率附加效率为23.4%，输出功率为41.46 dBm（14 W），功率增益压缩为3 dB。在8 ~ 8.5GHz范围内，输出功率的变化小于1.5dB。
Based on a self-developed AlGaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate, an X-band GaN combined solid-state power amplifier module is fabricated. The module consists of an AlGaN/GaN HEMT, Wilkinson power couplers, DC-bias circuit and microstrip line. For each amplifier, we use a bipolar DC power source. Special RC networks at the input and output and a resistor between the DC power source and the gate of the transistor at the input are used for cancellation of self-oscillation and crosstalk of low-frequency of each amplifier. At the same time, branches of length 3λ/4 for Wilkinson power couplers are designed for the elimination of self-oscillation of the two amplifiers. Microstrip stub lines are used for input matching and output matching. Under Vds = 27 V, Vgs = –4.0 V, CW operating conditions at 8 GHz, the amplifier module exhibits a line gain of 5.6 dB with power added efficiency of 23.4%, and output power of 41.46 dBm (14 W), and the power gain compression is 3 dB. Between 8 and 8.5 GHz, the variation of output power is less than 1.5 dB.
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DOI：
10.1109/mwsym.1994.335210
发表时间：
1994-05
期刊：
1994 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.94CH3389-4)
影响因子：
--
作者：
D. Antsos;R. Crist;L. Sukamto
通讯作者：
D. Antsos;R. Crist;L. Sukamto
影响因子：
3.6
作者：
R. J. Trew;G. Bilbro;W. Kuang;Y. Liu;H. Yin
通讯作者：
R. J. Trew;G. Bilbro;W. Kuang;Y. Liu;H. Yin
DOI：
10.1109/csics.2006.319950
发表时间：
2006-11
期刊：
2006 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
影响因子：
--
作者：
K. Takagi;K. Masuda;Y. Kashiwabara;H. Sakurai;K. Matsushita;S. Takatsuka;H. Kawasaki;Y. Takada;K. Tsuda
通讯作者：
K. Takagi;K. Masuda;Y. Kashiwabara;H. Sakurai;K. Matsushita;S. Takatsuka;H. Kawasaki;Y. Takada;K. Tsuda
影响因子：
4.9
作者：
Wu, YF;Saxler, A;Parikh, P
通讯作者：
Parikh, P
影响因子：
5.1
作者：
Luo Wei-jun;Chen Xiaojuan;Liang Xiaoxin;Ma Xiaolin;L. Xinyu;Wang Xiaoliang
通讯作者：
Luo Wei-jun;Chen Xiaojuan;Liang Xiaoxin;Ma Xiaolin;L. Xinyu;Wang Xiaoliang