Growth and characterisation of InAsP/AlGaInP QD laser structures
Growth and characterisation of InAsP/AlGaInP QD laser structures
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InAsP/AlGaInP QD 激光器结构的生长和表征
DOI：
10.1109/iciprm.2016.7528566
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Krysa A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Krysa A
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GaInP 光子晶体纳米腔中 InP 单量子点自发发射的控制
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Luxmoore;E. Ahmadi;N. A. Wasley;A. M. Fox;A. Tartakovskii;A. Krysa;M. S. Skolnick
通讯作者：
M. S. Skolnick
InP-GaInP 量子点激光器发射波长 690-750 nm
影响因子：
4.9
作者：
P. Smowton;J. Lutti;G. Lewis;A. Krysa;J. Roberts;P. Houston
通讯作者：
P. Houston
双波长 InP 量子点激光器
影响因子：
4
作者：
Shutts S
通讯作者：
Shutts S
InP/AlGaInP 量子点半导体盘激光器，用于 716 - 755 nm 的 CW TEM00 发射。
影响因子：
3.8
作者：
Schlosser PJ
通讯作者：
Schlosser PJ
采用 InP 量子点可饱和吸收体锁模的高重复率 Ti:Sapphire 激光器
影响因子：
2.6
作者：
M. Butkus;G. Robertson;G. Maker;G. Malcolm;C. Hamilton;A. Krysa;B. Stevens;R. Hogg;Y. Qiu;T. Walther;E. Rafailov
通讯作者：
E. Rafailov