Nickel in silicon: Room‐temperature in‐diffusion and interaction with radiation defects
Nickel in silicon: Room‐temperature in‐diffusion and interaction with radiation defects
复制标题
硅中的镍：室温扩散以及与辐射缺陷的相互作用
DOI：
10.1002/pssc.201700005
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Weber
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Yarykin;J. Weber
在室温下，在碱性Ni污染的浆料中进行化学机械抛光期间，将镍掺入到硅晶片中。镍的内扩散是通过一个新的Ni183能级的DLTS深度分布来检测的，该能级是由于扩散的镍与抛光前引入的VO中心之间的反应而形成的。抛光2 min后，Ni183的轮廓延伸至10 μm。现有的数据提供了一个较低的估计，即室温下镍的扩散率DNi>10− 9 cm 2 s −1。
Nickel is incorporated into silicon wafers during chemomechanical polishing in an alkaline Ni‐contaminated slurry at room temperature. The nickel in‐diffusion is detected by DLTS depth profiles of a novel Ni183level, which is formed due to a reaction between the diffusing nickel and theVO centers introduced before the polishing. The Ni183profile extends up to 10 μm after a 2 min polishing. The available data provide a lower estimate for the room‐temperature nickel diffusivityDNi>10−9cm2s−1.
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影响因子：
3.2
作者：
V. Markevich;A. Peaker;I. F. Medvedeva;V. Gusakov;L. Murin;B. Svensson
通讯作者：
B. Svensson
影响因子：
4
作者：
N. Yarykin;J. Weber
通讯作者：
J. Weber
影响因子：
3.2
作者：
Lindroos, J.;Fenning, D. P.;Buonassisi, T.
通讯作者：
Buonassisi, T.