Single photon source based on an InGaN quantum dot in a site-controlled optical horn structure
Single photon source based on an InGaN quantum dot in a site-controlled optical horn structure
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基于位点控制光喇叭结构中 InGaN 量子点的单光子源
DOI：
10.1063/1.5100323
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发表时间：
2019-07
影响因子：
4
通讯作者：
Xinqiang Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiaoxiao Sun;Ping Wang;Tao Wang;Duo Li;Zhaoying Chen;Ling Chen;Kang Gao;Mo Li;Jian Zhang;Weikun Ge;Yasuhiko Arakawa;Bo Shen;Mark Holmes;Xinqiang Wang
我们报道了在GaN倒截金字塔结构中实现InGaN量子点的单光子发射：单光子角。通过优化平面单InGaN量子阱为~ 2层，可以很好地控制量子点的结构参数，特别是（0001）方向的量子约束。基于传统的纳米压印柱，结合简单的再生工艺，实现了单光子角结构，即使在极低的35 nW （4.5 W cm−2）激发功率下，单光子角结构的光子发射效率也达到8 × 105光子/s，同时仍保持g(2)(0) < 0.5。
We report the realization of single photon emission from an InGaN quantum dot in a GaN inverted truncated-pyramid structure: a single photon horn. The structural parameters of the quantum dots, especially the quantum confinement in the (0001) direction, are well controlled by optimizing the planar single InGaN quantum well to be of ∼2 monolayers. Based on conventional nanoimprint pillars combining with a simple regrowth process, the single photon horn structure is realized with an efficient photon emission of 8 × 105 photons/s while still maintaining a g(2)(0) < 0.5 even at an extremely low excitation power of 35 nW (4.5 W cm−2).
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影响因子：
4
作者：
P. Frajtag;A. Hosalli;G. Bradshaw;N. Nepal;N. El-Masry;S. Bedair
通讯作者：
P. Frajtag;A. Hosalli;G. Bradshaw;N. Nepal;N. El-Masry;S. Bedair
DOI：
10.1038/lsa.2016.144
发表时间：
2016-09
期刊：
Light, science & applications
影响因子：
--
作者：
Hu JY;Yu B;Jing MY;Xiao LT;Jia ST;Qin GQ;Long GL
通讯作者：
Long GL
影响因子：
4
作者：
Rice, JH;Robinson, JW;Humphreys, CJ
通讯作者：
Humphreys, CJ
影响因子：
29.4
作者：
Berhane, Amanuel M.;Jeong, Kwang-Yong;Aharonovich, Igor
通讯作者：
Aharonovich, Igor
影响因子：
10.8
作者：
Hetzl, Martin;Kraut, Max;Stutzmann, Martin
通讯作者：
Stutzmann, Martin