The optimisation of a 15 kV 4H-silicon carbide integrated gate commutated thyristor
The optimisation of a 15 kV 4H-silicon carbide integrated gate commutated thyristor
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15 kV 4H碳化硅集成门换流晶闸管的优化
DOI：
10.1109/wipdaeurope55971.2022.9936508
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Cao Q
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cao Q
影响因子：
4.9
作者：
S. Ryu;A. Agarwal;Ranbir Singh;J. Palmour
通讯作者：
S. Ryu;A. Agarwal;Ranbir Singh;J. Palmour
低 Von 17kV SiC IGBT 辅助 n-MOS 晶闸管
DOI：
10.1109/iedm19573.2019.8993648
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
S. Matsunaga;T. Mizushima;K. Takenaka;Y. Kiuchi;A. Koyama;Y. Yonezawa;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura
脉冲功率应用下新型 15 kV SiC n-GTO 的分析
DOI：
10.1109/ppps34859.2019.9009743
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE Pulsed Power & Plasma Science (PPPS)
影响因子：
--
作者：
M. Kim;T. Tsoi;J. Forbes;A. Bilbao;S. Lacouture;S. Bayne;H. O’Brien;A. Ogunniyi;S. Ryu
通讯作者：
S. Ryu