4H-SiC MOSFETの熱酸化膜と堆積酸化膜に対するNOアニールの効果
4H-SiC MOSFETの熱酸化膜と堆積酸化膜に対するNOアニールの効果
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NO退火对4H-SiC MOSFET热氧化膜和沉积氧化膜的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
南園悠一郎;須田淳;木本恒暢
PRESiCETM：为制造 SiC 电子设备而设计的工艺
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.523
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
B. Baliga;Woongje Sung;Kijeong Han;J. Harmon;A. Tucker;S. Syed
通讯作者：
S. Syed
1.2 kV 4H-SiC JBSFET 的新型八角形单元拓扑与线性和六角形拓扑的比较：分析和实验结果
DOI：
10.1109/ispsd.2019.8757565
发表时间：
2019
期刊：
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
影响因子：
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作者：
Kijeong Han;Aditi Agarwal;B. Baliga
通讯作者：
B. Baliga
具有低通态压降的 1.2 kV、10 A、4H-SiC 双向场效应晶体管 (BiDFET)
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.1004.872
发表时间：
2019
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
Ajit Kanale;Tzu;Kijeong Han;B. Baliga;S. Bhattacharya;D. Hopkins
通讯作者：
D. Hopkins