Enhancement of ZnO ultraviolet emission by surface plasmon coupling using a rough NiSi2 layer synthesized by ion implantation
Enhancement of ZnO ultraviolet emission by surface plasmon coupling using a rough NiSi2 layer synthesized by ion implantation
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使用离子注入合成的粗糙 NiSi2 层通过表面等离子体耦合增强 ZnO 紫外线发射
DOI：
10.1088/1674-4926/32/10/102002
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发表时间：
2011-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Qu Sheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tan Hairen;You Jingbi;Zhang Shuguang;Gao Hongli;Yin Zhigang;Bai Yiming;Zhang Xiulan;Zhang Xingwang;Qu Sheng
计算了ZnO/NiSi 2的表面等离子体激元（SP）能量和珀塞尔因子，证明了NiSi 2通过SP耦合增强ZnO紫外发光的可能性。实验上，ZnO薄膜沉积在NiSi 2层离子注入合成，和NiSi 2层的粗糙度跨越从3到38 nm的大范围内，提供了有利的条件，调查SP介导的发射。从ZnO膜上的最粗糙的NiSi 2层，这表明金属硅化物层可以被用作电接触和发射增强的可能性，得到了11倍的发射增强。
The calculation results of the surface plasmon (SP) energy and Purcell factor of ZnO/NiSi2 demonstrate the possibility of using NiSi2 to enhance the UV emission of ZnO by SP coupling. Experimentally, ZnO films were deposited on NiSi2 layers synthesized by ion implantation, and the roughness of the NiSi2 layers spans a large range from 3 to 38 nm, providing favorable conditions for investigating SP-mediated emission. An 11-fold emission enhancement from the ZnO film on the roughest NiSi2 layer was obtained, which indicates the possibility that metal silicide layers can be used both as an electrical contact and for emission enhancement.
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影响因子：
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作者：
You, J. B.;Zhang, X. W.;Chen, N. F.
通讯作者：
Chen, N. F.
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4
作者：
Dong-Ming Yeh;Chi-Feng Huang;Cheng-Yen Chen;Yen-Cheng Lu;Chih-Chung Yang
通讯作者：
Dong-Ming Yeh;Chi-Feng Huang;Cheng-Yen Chen;Yen-Cheng Lu;Chih-Chung Yang
影响因子：
4
作者：
J. Kittl;M. Pawlak;C. Torregiani;A. Lauwers;C. Demeurisse;C. Vrancken;P. Absil;S. Biesemans;C. Coia;C. Detavernier;J. Jordan-Sweet;C. Lavoie
通讯作者：
J. Kittl;M. Pawlak;C. Torregiani;A. Lauwers;C. Demeurisse;C. Vrancken;P. Absil;S. Biesemans;C. Coia;C. Detavernier;J. Jordan-Sweet;C. Lavoie
影响因子：
4
作者：
Sun, Greg;Khurgin, Jacob B.;Soref, Richard A.
通讯作者：
Soref, Richard A.
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3.7
作者：
Gontijo, I;Boroditsky, M;DenBaars, SP
通讯作者：
DenBaars, SP