Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长
Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长
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DOI：
10.3724/sp.j.1077.2011.00472
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发表时间：
2011-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
闫文盛
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
李利民;韦世强;康朝阳;潘国强;唐军;徐彭寿;闫文盛
利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜, 通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征. RAMAN和NEXAFS结果表明: 在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征, 而 400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜. RHEED和FTIR结果表明, 沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原
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