Thermal analysis of GaN laser diodes in a package structure
Thermal analysis of GaN laser diodes in a package structure
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封装结构中 GaN 激光二极管的热分析
DOI：
10.1088/1674-1056/21/8/084209
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发表时间：
2012-08
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wang Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Hui;Zhang Shu-Ming;Jiang De-Sheng;Liu Jian-Ping;Wang Hui;Zeng Chang;Li Zeng-Cheng;Wang Huai-Bing;Wang Feng
使用有限元方法，计算了 TO 56 封装中外延向上配置和外延向下配置的 GaN 激光二极管器件的热阻。分析了各种参数对热特性的影响，
Using the finite-element method, the thermal resistances of GaN laser diode devices in a TO 56 package for both epi-up configuration and epi-down configuration are calculated. The effects of various parameters on the thermal characteristics are analysed,
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DOI：
10.1002/pssc.200565170
发表时间：
2006-06
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
W. J. Hwang;T. Lee;O. Nam;H. Kim;J. Kwak;Yu-Sun Park;M. Shin
通讯作者：
W. J. Hwang;T. Lee;O. Nam;H. Kim;J. Kwak;Yu-Sun Park;M. Shin
影响因子：
1.9
作者：
C. Zhu;Y. Zhang;A. Z. Li;Y. Zheng
通讯作者：
C. Zhu;Y. Zhang;A. Z. Li;Y. Zheng
影响因子：
3.2
作者：
Zhu, Cheng;Zhang, Yong-gang;Tian, Zhao-bing
通讯作者：
Tian, Zhao-bing
DOI：
10.1117/12.590240
发表时间：
2005-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Ryu;K. Ha;J. Chae;O. Nam;Yongjo Park
通讯作者：
H. Ryu;K. Ha;J. Chae;O. Nam;Yongjo Park
DOI：
10.1117/12.764676
发表时间：
2008-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Leers;K. Boucke;M. Götz;A. Meyer;M. Kelemen;Nico Lehmann;F. Monti di Sopra
通讯作者：
M. Leers;K. Boucke;M. Götz;A. Meyer;M. Kelemen;Nico Lehmann;F. Monti di Sopra