Doping of free-standing zinc-blende GaN layers grown by molecular beam epitaxy
Doping of free-standing zinc-blende GaN layers grown by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延生长的独立式闪锌矿 GaN 层的掺杂
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.06.014
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发表时间：
2014
影响因子：
1.8
通讯作者：
Novikov S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Novikov S
镁和硅掺杂立方氮化镓的光致发光
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. E. L. Powell;S. Novikov;C. T. Foxon;A. Akimov;A. Kent
通讯作者：
A. Kent
掺杂和未掺杂立方III族氮化物的异质外延
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. As;K. Lischka
通讯作者：
K. Lischka
通过分子束外延生长的混锌（立方）GaN 块状晶体
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Novikov;C. T. Foxon;A. Kent
通讯作者：
A. Kent