Positron Annihilation in TaN Thin Sputtering Films Prepared with Various N2 Partial Pressures
Positron Annihilation in TaN Thin Sputtering Films Prepared with Various N2 Partial Pressures
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不同氮气分压制备的 TaN 溅射薄膜中的正电子湮灭
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ddf.373.237
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发表时间：
2017-03
影响因子：
--
通讯作者：
Bang Jiao Ye
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jian Dang Liu;Bing Chuan Gu;Jia Jie Fang;Bang Jiao Ye
采用磁控溅射法在不同的N2/Ar比条件下制备了氮化钽（TaN）薄膜。用慢正电子束对薄膜的微观结构进行了分析。结果表明，在低N2/Ar流量比下沉积的薄膜中含有较多的类空位缺陷，相应的S参数也较大。薄层电阻的测量显示欧姆每平方大大增加与增加N2/Ar比。其原因可能与非化学计量空位和晶格畸变有关。
Tantalum nitride (TaN) thin films were deposited using magnetron sputtering method under different N2/Ar ratio condition. Slow positron beam was used to analyze the microstructure of those films. The results show that the films which deposited at low N2/Ar flow ratio contain more vacancy-like defects, and the corresponding S parameter is relatively large. The sheet resistance measurement displays that ohms-per-square greatly increase with increased N2/Ar ratio. And the reasons could be related to nonstoichiometry-induced vacancies and lattice distortions.
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