Post-growth annealing study of heavily Ga-doped zinc oxide grown by radio frequency magnetron sputtering
Post-growth annealing study of heavily Ga-doped zinc oxide grown by radio frequency magnetron sputtering
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射频磁控溅射生长重Ga掺杂氧化锌的生长后退火研究
DOI：
10.1088/0022-3727/46/13/135104
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发表时间：
2013-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhu, D. L.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Su, S. C.;Ling, C. C.;Lu, Y. M.;Zhu, D. L.
采用射频磁控溅射法制备了高掺杂ga掺杂ZnO（电阻率~ 8 × 10−4 Ω cm，透过率96%）。在H2-Ar和纯Ar气氛下进行了生长后退火研究。没有明显的热诱导缺陷
Heavily doped Ga-doped ZnO (resistivity ∼8 × 10−4 Ω cm and optical transmittance 96%) were fabricated by radio frequency magnetron sputtering. Post-growth annealing studies in H2–Ar and pure Ar atmospheres were conducted. No noticeable thermal-induced cha
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