Structural and emission properties of InGaAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm
Structural and emission properties of InGaAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm
复制标题
1 3 μm 发射的 InGaAs/GaAs 量子点的结构和发射特性
DOI：
10.1063/1.4898186
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
F. Jahnke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Goldmann;M. Paul;F. F. Krause;K. Müller;J. Kettler;T. Mehrtens;A. Rosenauer;M. Jetter;P. Michler;F. Jahnke
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影响因子：
3.7
作者：
Carmele, Alexander;Knorr, Andreas
通讯作者：
Knorr, Andreas
金属有机化学气相沉积生长的 InAs 量子点的室温 1.3 μm 发射
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Bloch;J. Shah;W. Hobson;J. Lopata;S. Chu
通讯作者：
S. Chu
通过金属有机化学气相沉积生长的 InGaAs/GaAs 量子点的结构研究，用于 1.3 μm 光电应用
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Passaseo;R. Rinaldi;M. Longo;S. Antonaci;A. Convertino;R. Cingolani;A. Taurino;M. Catalano
通讯作者：
M. Catalano
综合研究 O 波段电信窗口光学活性可调谐 InAs 量子点的光学和电子特性（In）GaAs 周围材料
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
O. Nasr;M. H. H. Alouane;H. Maaref;F. Hassen;L. Sfaxi;B. Ilahi
通讯作者：
B. Ilahi
闪锌矿三元 III-V 和 II-VI 半导体中成分敏感 002 反射的散射幅度和静态原子校正因子
DOI：
10.1107/s0108767311037779
发表时间：
2012
期刊：
Acta crystallographica. Section A, Foundations of crystallography
影响因子：
--
作者：
Marco Schowalter;Knut Müller;Andreas Rosenauer
通讯作者：
Andreas Rosenauer