14.5 A 0.53THz reconfigurable source array with up to 1mW radiated power for terahertz imaging applications in 0.13μm SiGe BiCMOS
14.5 A 0.53THz reconfigurable source array with up to 1mW radiated power for terahertz imaging applications in 0.13μm SiGe BiCMOS
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14 5 A 0 53THz 可重构源阵列，辐射功率高达 1mW，适用于 0 13μm SiGe BiCMOS 中的太赫兹成像应用
DOI：
10.1109/isscc.2014.6757424
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
B. Heinemann
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
U. R. Pfeiffer;Y. Zhao;J. Grzyb;R. Al Hadi;N. Sarmah;W. Förster;H. Rücker;B. Heinemann
最近，硅基太赫兹摄像机已经在太赫兹范围（300GHz到3THz）[1]的工业、监控、科学和医疗应用中得到了证明。这样的相机实现有利于具有天线耦合直接检测器的像素，以实现低功耗和高像素数。尽管取得了这一进展，但它们缺乏被动成像所需的灵敏度，成像仪需要人工照明来提供所需的图像质量。选择是使用昂贵的高功率聚焦照明与单一方向的入射光束，这严重限制了图像质量，由于其镜面性质。此外，在焦平面阵列配置的探测器共享可用的源功率，图像信噪比进一步下降，相机的分辨率。与通常使用遮光或反射器的可见光成像一样，主动太赫兹成像将极大地受益于非相干人工光源，以调整亮度、相位/频率和光的方向，以获得所需的照明条件。
Recently, silicon-based THz video cameras have been demonstrated for industrial, surveillance, scientific, and medical applications in the THz range (300GHz to 3THz) [1]. Such camera implementations favor pixels with antenna-coupled direct detectors for a low power dissipation and a high pixel count. Despite this progress, they lack the required sensitivity for passive imaging and imagers are in the need of artificial illumination to provide the required image quality. The choice has been to use expensive high-power focused illumination with a single direction for the incoming beam, which seriously limits the image quality due to its specular nature. Additionally, detectors in a focal-plane array configuration share the available source power and the image SNR further drops with the camera resolution. Like imaging at visible light, where shades or reflectors are commonly used, active THz imaging would greatly benefit from incoherent artificial light sources to adjust brightness, phase/frequency, and the direction of light to obtain the desired lighting conditions.
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影响因子：
5.4
作者：
Al Hadi, Richard;Sherry, Hani;Pfeiffer, Ullrich R.
通讯作者：
Pfeiffer, Ullrich R.
影响因子：
5.4
作者：
Han, Ruonan;Afshari, Ehsan
通讯作者：
Afshari, Ehsan
使用四推振荡器在 CMOS 中生成 553GHz 信号
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Symposium on VLSI Circuits
影响因子：
--
作者：
D. Shim;D. Koukis;D. J. Arenas;D. Tanner;K. O. Kenneth
通讯作者：
K. O. Kenneth
用于太赫兹主动成像应用的 820GHz SiGe 芯片组
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
IEEE International Solid-State Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
E. Öjefors;J. Grzyb;Yan Zhao;B. Heinemann;B. Tillack;U. Pfeiffer
通讯作者：
U. Pfeiffer