Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001) GaAs substrate in molecular beam epitaxy"

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分子束外延(001) GaAs衬底束诱导横向外延生长机理"

DOI:
--
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发表时间:
2004
期刊:
J.Crystal Growth 276
影响因子:
--
通讯作者:
T.Nishinaga
T.Nishinaga
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
S.Naritsuka;T.Suzuki;K.Saitoh;T.Maruyama;T.Nishinaga

文献摘要

参考文献

被引文献

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