Single-Event Characterization of 16 nm FinFET Xilinx UltraScale+ Devices with Heavy Ion and Neutron Irradiation
Single-Event Characterization of 16 nm FinFET Xilinx UltraScale+ Devices with Heavy Ion and Neutron Irradiation
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采用重离子和中子辐照的 16 nm FinFET Xilinx UltraScale 器件的单粒子表征
DOI：
10.1109/nsrec.2018.8584313
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rice, William
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lee, David S.;King, Michael;Evans, William;Cannon, Matthew;Perez-Celis, Andres;Anderson, Jordan;Wirthlin, Michael;Rice, William
本研究考察了Xilinx 16 nm FinFET UltraScale+FPGA和MPSoC器件系列的单事件响应。提供了重离子单粒子闭锁、配置静态随机存储器、块RAM™存储器和触发器中的单粒子翻转，以及中子诱导的单粒子闭锁结果。
This study examines the single-event response of Xilinx 16nm FinFET UltraScale+ FPGA and MPSoC device families. Heavy-ion single-event latch-up, single-event upsets in configuration SRAM, BlockRAM™ memories, and flip-flops, and neutron-induced single-event latch-up results are provided.
通过 JTAG 进行高速 FPGA 配置和测试
DOI：
10.1109/autest.2016.7589601
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE AUTOTESTCON
影响因子：
--
作者：
Ammon Gruwell;Peter Zabriskie;M. Wirthlin
通讯作者：
M. Wirthlin
重离子辐照下 28 nm Xilinx Kintex-7 现场可编程门阵列的单粒子表征
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
Radiation Effects Data Workshop
影响因子：
--
作者：
David Lee;M. Wirthlin;G. Swift;A. Le
通讯作者：
A. Le
重离子辐照下 20 nm Xilinx Kintex UltraScale 现场可编程门阵列的单粒子表征
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
Radiation Effects Data Workshop
影响因子：
--
作者：
David Lee;G. Allen;G. Swift;M. Cannon;M. Wirthlin;J. George;R. Koga;Kangsen Huey
通讯作者：
Kangsen Huey