Thermal Boundary Resistance of Ruthenium Interconnects in Next Generation VLSI
Thermal Boundary Resistance of Ruthenium Interconnects in Next Generation VLSI
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下一代 VLSI 中钌互连的热边界电阻
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tianzhuo Zhan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
舘岡 千椰佳; Pawan Kumar;出口 碧惟;金 聖祐;小山 浩司;林 都隆; 貝沼 雄太;安 東秀;Tianzhuo Zhan
金属/电介质界面热边界电阻对深度大规模 VLSI 互连温升的影响。
影响因子：
9.5
作者：
T. Zhan;K. Oda;S. Ma;M. Tomita;Zhicheng Jin;H. Takezawa;K. Mesaki;Yen‐Ju Wu;Yibin Xu;T. Matsukawa;T. Matsuki;Takanobu Watanabe
通讯作者：
Takanobu Watanabe
钌原子层沉积与 TiN 接口，用于超越铜的 10 纳米以下高级互连。
影响因子：
9.5
作者：
L. Wen;P. Roussel;O. Pedreira;B. Briggs;B. Groven;S. Dutta;M. Popovici;N. Heylen;I. Ciofi;K. Vanstreels;F. W. Østerberg;O. Hansen;D. H. Petersen;K. Opsomer;Christophe Detavernie;Christopher J. Wilson;S. Elshocht;K. Croes;J. Bömmels;Z. Tokei;C. Adelmann
通讯作者：
C. Adelmann
影响因子：
3.4
作者：
Valleti, Krishna;Subrahmanyam, A.;Santucci, S.
通讯作者：
Santucci, S.