A study of the silicon divacancy defect in the E2V LSST CCD250 using the single trap pumping method
A study of the silicon divacancy defect in the E2V LSST CCD250 using the single trap pumping method
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单陷阱泵浦法研究E2V LSST CCD250硅双空位缺陷
DOI：
10.1117/12.2561561
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wood D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wood D
电荷耦合器件（CCD）由于其高线性、灵敏度和动态范围，目前构成了精密天文望远镜（如大型综合巡天望远镜（LSST））的标准探测器。然而，由于硅带隙中的缺陷能级的存在，电荷转移特性会劣化，所述缺陷能级可以充当信号电荷的捕获中心。单阱泵浦技术可以用作探测相关缺陷能级的潜在性质并潜在地减轻其影响的工具。在本文中，我们提出了一个单一的陷阱泵浦的LSST E2 V CCD 250在-30 ° C至-110 ° C的温度范围内的研究，一个更大的范围比以前使用这种方法研究。在这些温度下出现的CCD的相关性的主要缺陷水平示出为硅双空位的单受主水平。利用实验数据和陷阱抽运过程的基本蒙特-卡罗模型，我们研究了缺陷能级的性质，并试图解释信号电荷的捕获和发射。
Charge-coupled devices (CCDs) currently constitute the standard detector for precision astronomical telescopes such as the Large Synoptic Survey Telescope (LSST) due to their high linearity, sensitivity and dynamic range. Charge transfer properties can however be degraded by the presence of defect levels in the silicon band-gap, which can act as trapping centers for signal charge. The technique of single trap-pumping can be used as a tool to probe the underlying properties of relevant defect levels and potentially mitigate against their effects. In this paper we present a single trap-pumping study of the LSST E2V CCD250 across a temperature range of-30◦ to-110◦, a much larger range than previously studied using this approach. The predominant defect level of relevance for CCDs appearing at these temperatures is shown to be the single-acceptor level of the silicon divacancy. Using experimental data and a basic Monte-Carlo model of the trap-pumping process we examine the defect level properties, with an attempt made to account for both the capture and emission of signal charge.
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LSST 相机概述
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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作者：
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R. Schindler
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发表时间：
2016
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发表时间：
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通讯作者：
D. Burt