Retention behavior of deuterium and oxygen in boronized VPS-W
Retention behavior of deuterium and oxygen in boronized VPS-W
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硼化 VPS-W 中氘和氧的保留行为
DOI：
10.1016/j.jnucmat.2013.01.251
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发表时间：
2013-07
影响因子：
3.1
通讯作者：
Guang-Nan Luo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wanjing Wang;Qiang Li;Makoto Kobayashi;Yasuhisa Oya;Kenji Okuno;Guang-Nan Luo
通过TDS、XPS和扫描电子显微镜等测试手段，研究了真空等离子喷涂(VPS-W)过程中注入的氘的滞留及相应的氧效应。结果表明，未渗硼的VPS-W中，氧是主要杂质。然而，氧气的存在并不影响氢的保留率。在渗硼的VPS-W中，注入的氢会破坏一些化学键，并被B-O-D等新的键捕获，导致D的保留率增加，D的脱附向更高的温度移动。XPS谱表明，在较高温度下的热脱附过程中，大部分氧从含硼的表面被脱除，超过了EAST操作的壁温。
Retention of deuterium implanted into boronized vacuum plasma spraying (VPS-W) and the corresponding oxygen effect have been studied via measurements of TDS, XPS, and SEM. It is found that for the VPS-W without boronization, oxygen is the main impurity. However, the oxygen has no influence on the deuterium retention. In the boronized VPS-W, the implanted deuterium would break some chemical bonds and be trapped by new bonds, such as B–O–D, resulting in increases of D retention and shift of D desorption to higher temperature. The XPS spectra show that most of the oxygen would be removed from the surfaces with boron during the thermal desorption at a rather high temperature, exceeding the wall temperature in EAST operation.
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影响因子：
3.1
作者：
J. Xie;Y. Zhao;Junguo Li;B. Wan;X. Gong;Jin-Yong Hu;X. Gao;X. Gu;S. D. Zhang;X. M. Wang;Y. Mao;Yang Xu;M. Zhen;Shouyin Zhang
通讯作者：
J. Xie;Y. Zhao;Junguo Li;B. Wan;X. Gong;Jin-Yong Hu;X. Gao;X. Gu;S. D. Zhang;X. M. Wang;Y. Mao;Yang Xu;M. Zhen;Shouyin Zhang
影响因子：
1.7
作者：
K. Okuno;Sachiko Suzuki;Makoto Kobayashi;Rie Kurata;M. Masao;N. Ashikawa;A. Sagara;Y. Oya
通讯作者：
K. Okuno;Sachiko Suzuki;Makoto Kobayashi;Rie Kurata;M. Masao;N. Ashikawa;A. Sagara;Y. Oya
影响因子：
3.3
作者：
J. Huang;B. Wan;J.G. Li;X. Gong;X.D. Zhang;Z. Wu;Q. Zhou
通讯作者：
J. Huang;B. Wan;J.G. Li;X. Gong;X.D. Zhang;Z. Wu;Q. Zhou
影响因子：
3.1
作者：
Y. Kikuchi;Yu Yang;A. Yoshikawa;T. Suda;A. Sagara;N. Noda;Y. Oya;K. Okuno
通讯作者：
Y. Kikuchi;Yu Yang;A. Yoshikawa;T. Suda;A. Sagara;N. Noda;Y. Oya;K. Okuno
影响因子：
3.1
作者：
T. Nakahata;A. Yoshikawa;M. Oyaidzu;Y. Oya;Y. Ishimoto;K. Kizu;J. Yagyu;N. Ashikawa;K. Nishimura;N. Miya;K. Okuno
通讯作者：
T. Nakahata;A. Yoshikawa;M. Oyaidzu;Y. Oya;Y. Ishimoto;K. Kizu;J. Yagyu;N. Ashikawa;K. Nishimura;N. Miya;K. Okuno