DV により夫から離れることを決断した在日外国人妊婦の事例
DV により夫から離れることを決断した在日外国人妊婦の事例
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居住在日本的怀孕外国人因家庭暴力而决定离开丈夫的案例
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
片岡弥恵子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
林田幸子;片岡弥恵子
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在 MMC 子模块中展示具有快速过流保护功能的稳健 10 kV SiC MOSFET 栅极驱动器
DOI：
10.1109/apec39645.2020.9124533
发表时间：
2020
期刊：
2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
影响因子：
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作者：
Xingxuan Huang;Shiqi Ji;J. Palmer;Li Zhang;Dingrui Li;Fred Wang;L. Tolbert;William Giewont
通讯作者：
William Giewont
基于 10 kV SiC MOSFET 的模块化多电平转换器子模块的设计和测试
DOI：
10.1109/ecce.2019.8913193
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE)
影响因子：
--
作者：
Xingxuan Huang;J. Palmer;Shiqi Ji;Li Zhang;Fred Wang;L. Tolbert;William Giewont
通讯作者：
William Giewont
驱动器
DOI：
10.1007/978-3-319-24612-3_300726
发表时间：
2020
期刊：
Nietzsche's Values
影响因子：
--
作者：
J. Richardson
通讯作者：
J. Richardson
高 dv/dt 高压 SiC MOSFET 去饱和保护电路的噪声抗扰度
DOI：
10.1109/apec42165.2021.9487072
发表时间：
2021
期刊：
2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
影响因子：
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作者：
Xingxuan Huang;Shiqi Ji;Cheng Nie;Dingrui Li;Min Lin;L. Tolbert;Fred Wang;William Giewont
通讯作者：
William Giewont
10kV SiC MOSFET 的短路特性和保护
影响因子：
6.7
作者：
Shiqi Ji;Marko Laitinen;Xingxuan Huang;Jingjing Sun;William Giewont;Fei Wang;L. Tolbert
通讯作者：
L. Tolbert