Degradation of CMOS APS Image Sensors Induced by Total Ionizing Dose Radiation at Different Dose Rates and Biased Conditions
Degradation of CMOS APS Image Sensors Induced by Total Ionizing Dose Radiation at Different Dose Rates and Biased Conditions
复制标题
不同剂量率和偏置条件下总电离剂量辐射引起的 CMOS APS 图像传感器的退化
DOI：
10.1109/tns.2015.2394779
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发表时间：
2015-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
Wu Zhijun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Zujun;Liu Changju;Ma Yan;Wu Zhijun
介绍了CMOS APS图像传感器在50.0和0.2rad（Si）/s剂量率下的总剂量辐射效应实验。CMOS APS图像传感器采用标准的0.35 μm CMOS工艺制造，具有典型的栅极，
The experiments of total ionizing dose radiation effects on CMOS APS image sensors at the dose rates of 50.0 and 0.2 rad(Si)/s were presented. The CMOS APS image sensors were manufactured using the standard 0.35 - μm CMOS technology that had a typical gat
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影响因子：
1.8
作者：
V. Goiffon;P. Cervantes;C. Virmontois;F. Corbière;P. Magnan;M. Estribeau
通讯作者：
V. Goiffon;P. Cervantes;C. Virmontois;F. Corbière;P. Magnan;M. Estribeau
影响因子：
1.8
作者：
G. Hopkinson
通讯作者：
G. Hopkinson
DOI：
10.1109/radecs.2011.6131316
发表时间：
2011-09
期刊：
2011 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems
影响因子：
--
作者：
Zujun Wang;Bengqi Tang;Z. Xiao;Minbo Liu;Yong Zhang;Shaoyan Huang
通讯作者：
Zujun Wang;Bengqi Tang;Z. Xiao;Minbo Liu;Yong Zhang;Shaoyan Huang
影响因子：
1.8
作者：
Schwank, James R.;Shaneyfelt, Marty R.;Ferlet-Cavrois, Veronique
通讯作者：
Ferlet-Cavrois, Veronique
影响因子：
1.8
作者：
V. Goiffon;C. Virmontois;P. Magnan;S. Girard;P. Paillet
通讯作者：
V. Goiffon;C. Virmontois;P. Magnan;S. Girard;P. Paillet