Ultra shallow sidewall GaAs tunnel junctions prepared by low-temperature area-selective epitaxial regrowth method
Ultra shallow sidewall GaAs tunnel junctions prepared by low-temperature area-selective epitaxial regrowth method
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低温区域选择性外延生长法制备超浅侧壁GaAs隧道结
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西澤潤一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小山裕;大野武雄;須藤建;西澤潤一
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影响因子：
1.9
作者：
J. Nishizawa;Y. Oyama;P. Płotka;H. Sakuraba
通讯作者：
H. Sakuraba
使用三乙基镓 (TEG) 和 AsH3 自限制生长 GaAs 分子层外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)01111-3
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kurabayashi;K. Kono;H. Kikuchi;J. Nishizawa;M. Esashi
通讯作者：
M. Esashi
P 型 INP 中化学计量相关的深层水平
影响因子：
3.2
作者：
J. Nishizawa;Kiyoon Kim;Y. Oyama;K. Suto
通讯作者：
K. Suto
低温区域选择性再生长在超浅侧壁砷化镓隧道结中的应用
影响因子：
4
作者：
Y. Oyama;T. Ohno;K. Tezuka;K. Suto;J. Nishizawa
通讯作者：
J. Nishizawa
应用物理学。53-2。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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