Very low excess noise Al0.75Ga0.25As0.56Sb0.44 avalanche photodiode.
Very low excess noise Al0.75Ga0.25As0.56Sb0.44 avalanche photodiode.
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极低的过量噪声 Al0.75Ga0.25As0.56Sb0.44 雪崩光电二极管。
DOI：
10.1364/oe.500169
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Jin X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jin X
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影响因子：
4.6
作者：
Yi X;Xie S;Liang B;Lim LW;Zhou X;Debnath MC;Huffaker DL;Tan CH;David JPR
通讯作者：
David JPR
DOI：
10.1063/1.4949335
发表时间：
2016-05
期刊：
2016 IEEE Photonics Conference (IPC)
影响因子：
--
作者：
M. Ren;S. Maddox;M. Woodson;Yaojia Chen;S. Bank;J. Campbell
通讯作者：
M. Ren;S. Maddox;M. Woodson;Yaojia Chen;S. Bank;J. Campbell
采用基于 3.5 μm 截止 AlInAsSb 的独立吸收、电荷和倍增雪崩光电二极管进行高增益、低过量噪声 MWIR 检测
影响因子：
5.6
作者：
Adam A. Dadey;J. McArthur;A. Kamboj;S. Bank;D. Wasserman;J. Campbell
通讯作者：
J. Campbell
高增益、低噪声、室温 1550 nm GaAsSb/AlGaAsSb 雪崩光电二极管
影响因子：
10.4
作者：
Seunghyun Lee;X. Jin;Hyemin Jung;H. Lewis;Yifan Liu;B. Guo;S. Kodati;M. Schwartz;C. Grein;T. Ronningen;J. David;J. Campbell;S. Krishna
通讯作者：
S. Krishna
DOI：
10.1109/jstqe.2021.3092963
发表时间：
2022-03-01
影响因子：
4.9
作者：
Campbell, Joe C.
通讯作者：
Campbell, Joe C.