Demonstration of large ionization coefficient ratio in AlAs(0.56)Sb(0.44) lattice matched to InP.
Demonstration of large ionization coefficient ratio in AlAs(0.56)Sb(0.44) lattice matched to InP.
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DOI：
10.1038/s41598-018-27507-w
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发表时间：
2018-06-14
影响因子：
4.6
通讯作者：
David JPR
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yi X;Xie S;Liang B;Lim LW;Zhou X;Debnath MC;Huffaker DL;Tan CH;David JPR
在AlAs0.56Sb0.44 p-i-n和n-i-p均结二极管中测量了电子和空穴雪崩倍增特性，其晶格与InP匹配，标称雪崩区厚度为~0.6 μm， 1.0 μm和1.5 μm。根据这些数据和两个更薄的器件的数据，首次确定了α在220-1250 kV/cm和β在360-1250 kV/cm的电场范围内的体电子和空穴冲击电离系数（分别为α和β）。α/β比在此范围内变化从1000到2，使其成为第一个具有类似或大于硅中观察到的电离系数比的宽带隙III-V半导体的报告。
The electron and hole avalanche multiplication characteristics have been measured in bulk AlAs0.56Sb0.44 p-i-n and n-i-p homojunction diodes, lattice matched to InP, with nominal avalanche region thicknesses of ~0.6 μm, 1.0 μm and 1.5 μm. From these and data from two much thinner devices, the bulk electron and hole impact ionization coefficients (α and β respectively), have been determined over an electric-field range from 220–1250 kV/cm for α and from 360–1250 kV/cm for β for the first time. The α/β ratio is found to vary from 1000 to 2 over this field range, making it the first report of a wide band-gap III-V semiconductor with ionization coefficient ratios similar to or larger than that observed in silicon.
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