Selective-area fabrication of bulk metallic glass nanowires on silicon
Selective-area fabrication of bulk metallic glass nanowires on silicon
复制标题
硅上块体金属玻璃纳米线的选择性区域制造
DOI：
10.1016/j.matlet.2022.132966
复制
发表时间：
2022
影响因子：
3
通讯作者：
Kumar, Golden
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Theeda, Sumanth;Kumar, Golden
我们报道了一种在硅上选择性区域制备金属纳米线的简便方法。纳米线是通过从硅中蚀刻的微尺度腔中热塑性拉伸大块金属玻璃来制造的。通过使用铝箔掩模仅在选择性区域上形成金属纳米线。该掩模在热塑性加工期间将块状金属玻璃的流动限制到预定义的开口，并且使得能够在硅上的选择性区域上形成纳米线。我们表明，可以形成不同的纵横比的纳米线，通过定制的绘图条件，而不改变硅。廉价的铝掩模可以产生200 μm或更大尺寸范围内的各种纳米图案化区域。
We report a facile technique to fabricate metallic nanowires on selective areas on silicon. Nanowires are fabricated by thermoplastic drawing of bulk metallic glass from microscale cavities etched in silicon. The metallic nanowires are formed only on selective areas by using aluminum foil masks. The mask restricts the flow of bulk metallic glass to predefined openings during thermoplastic processing and enables the formation of nanowires on selective areas on silicon. We show that nanowires with different aspect-ratios can be formed by tailoring the drawing conditions without changing the silicon. Inexpensive aluminum masks can produce a wide range of nanopatterned areas in the size range of 200 µm and larger.
登录
查看更多内容
影响因子：
17.1
作者：
Bosworth, Joan K.;Black, Charles T.;Obert, Christopher K.
通讯作者：
Obert, Christopher K.
金属电极上氧化锌纳米线的选择性生长
影响因子：
1.7
作者：
Youngjin Choi;J. Park;Jae
通讯作者：
Jae
影响因子：
3.5
作者：
Hu, Zhonglue;Meduri, Chandra Sekhar;Kumar, Golden
通讯作者：
Kumar, Golden
影响因子：
2.9
作者：
S. Jagdale;Akib Jabed;S. Theeda;C. Meduri;Zhonglue Hu;Molla Hasan;G. Kumar
通讯作者：
S. Jagdale;Akib Jabed;S. Theeda;C. Meduri;Zhonglue Hu;Molla Hasan;G. Kumar
无掩模光刻法制备人字形结构的氧化锌纳米线锚定微流控器件
影响因子：
2.8
作者：
Dilshan Sooriyaarachchi;Shahrima Maharubin;George Z. Tan
通讯作者：
George Z. Tan