A Simple Model for the Thermal Noise of Saturated MOSFETs at All Inversion Levels
A Simple Model for the Thermal Noise of Saturated MOSFETs at All Inversion Levels
复制标题
所有反转电平下饱和 MOSFET 热噪声的简单模型
DOI：
10.1109/jeds.2017.2751421
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发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
Sarpeshkar, Rahul
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mandal, Soumyajit;Sarpeshkar, Rahul
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DOI：
--
发表时间：
1995
期刊：
Proceedings of the 1995 IEEE International Frequency Control Symposium (49th Annual Symposium)
影响因子：
--
作者：
C. Boggs;A. D. Doak;F. Walls
通讯作者：
F. Walls
适用于 3D 神经微系统的 4 $mu{
m W}/{
m Ch}$ 模拟前端模块，具有适度反转和功率可扩展采样操作
影响因子：
5.1
作者：
K. Al;Sun;E. Yoon
通讯作者：
E. Yoon
固定大量电荷对金属氧化物半导体晶体管热噪声的影响
DOI：
--
发表时间：
1966
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Sah;S. Y. Wu;F. Hielscher
通讯作者：
F. Hielscher
在所有工作模式下均有效的 MOS 晶体管热噪声分析模型
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Roy;C. Enz
通讯作者：
C. Enz
Mos 晶体管的操作和建模（电气与计算机工程牛津系列）
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Tsividis
通讯作者：
Y. Tsividis