Observation of dislocations in strain-relaxed SiGethin films with Flat Surfaces Grown on Ion-Implanted Silicon Substrates
Observation of dislocations in strain-relaxed SiGethin films with Flat Surfaces Grown on Ion-Implanted Silicon Substrates
复制标题
离子注入硅衬底上生长的平坦表面应变松弛 SiGethin 薄膜中位错的观察
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Shiraki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J.Yamanaka;K.Sawano;K.Nakagawa;K.Suzuki;Y.Ozawa;S.Koh;T.Hattori;Y.Shiraki
登录
查看更多内容
具有高空穴迁移率的调制掺杂 SiGe/Ge/SiGe 异质结构的低温缓冲生长
影响因子：
2.1
作者：
T. Ueno;T. Irisawa;Y. Shiraki;A. Uedono;S. Tanigawa
通讯作者：
S. Tanigawa
用于高迁移率器件的松弛 Si0.7Ge0.3 缓冲层
影响因子：
4
作者：
P. Mooney;J. Jordan;K. Ismail;J. Chu;R. Feenstra;F. Legoues
通讯作者：
F. Legoues
通过预离子注入硅衬底增强 SiGe 薄层的应变弛豫
影响因子：
1.5
作者：
K. Sawano;Yoshihisa Hirose;Y. Ozawa;S. Koh;J. Yamanaka;K. Nakagawa;T. Hattori;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki
固相外延形成突变界面的 Si1-xGex/Si/Si1-xGex 异质结构中的超高电子迁移率
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Sugii;K. Nakagawa;Y. Kimura;S. Yamaguchi;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao