The influence of Ca doping in Bi2O2Se: A first-principles investigation
The influence of Ca doping in Bi2O2Se: A first-principles investigation
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Ca 掺杂对 Bi2O2Se 的影响：第一性原理研究
DOI：
10.1016/j.commatsci.2020.109684
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发表时间：
2020-06
影响因子：
3.3
通讯作者：
Huang Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Xuyang;Han Nannan;Lin Changqing;Wei Qilin;Zhao Puqin;Cheng Yingchun;Huang Wei
Bi2O2Se作为铋氧硫族化物的一员，被认为是光电晶体管、光电探测器、脉冲激光器和光电二极管等光电应用的有前途的候选者。纵观Bi2O2Se的研究进展，Bi2O2Se的晶体质量起着重要的作用。利用第一性原理计算，我们研究了地球上最丰富的元素之一 Ca 掺杂在 Bi2O2Se 中的影响。我们发现 Bi2O2Se 中很容易掺杂 Ca，这进一步引起取代点缺陷 CaBi。 CaBi 的存在引入了深供体能级，这有利于短载流子寿命。因此，Ca掺杂可用于改善Bi2O2Se基二极管和晶体管的开关特性。
Bi2O2Se, as a member of bismuth oxychalcogenides, is regarded as a promising candidate for optoelectronic applications, such as phototransistors, photodetectors, pulsed lasers and photodiodes. Throughout the research progress of Bi2O2Se, the crystal quality of Bi2O2Se plays an important role. Using the first-principles calculations, we study the influence of Ca, one of the most abundant elements on the earth, doping in Bi2O2Se. We find that Ca doping is easy in Bi2O2Se which further induces substitution point defect CaBi. The presence of CaBiintroduces a deep donor level which is favorable for a short carrier lifetime. Thus, Ca doping may be used to improve switching characteristics of Bi2O2Se-based diodes and transistors.
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影响因子：
3.1
作者：
Marisa Francesca Catania;F. Frisina;N. Tavolo;G. Ferla;S. Coffia;S. U. Campisano
通讯作者：
Marisa Francesca Catania;F. Frisina;N. Tavolo;G. Ferla;S. Coffia;S. U. Campisano
影响因子：
3.3
作者：
Wei, SH
通讯作者：
Wei, SH
超高迁移率层状氧化物半导体 Bi2O2Se 中的电子结构和异常坚固的带隙
影响因子：
13.6
作者：
Chen C;Wang M;Wu J;Fu H;Yang H;Tian Z;Tu T;Peng H;Sun Y;Xu X;Jiang J;Schröter NBM;Li Y;Pei D;Liu S;Ekahana SA;Yuan H;Xue J;Li G;Jia J;Liu Z;Yan B;Peng H;Chen Y
通讯作者：
Chen Y
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
DOI：
10.1088/0370-1301/67/10/306
发表时间：
1954-01-01
期刊：
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B
影响因子：
--
作者：
MOSS, TS
通讯作者：
MOSS, TS