Molecular beam epitaxy of GaNAs alloys with high As content for potential photoanode applications in hydrogen production
Molecular beam epitaxy of GaNAs alloys with high As content for potential photoanode applications in hydrogen production
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高As含量GaNAs合金的分子束外延在制氢中的潜在光阳极应用
DOI：
10.1116/1.3368600
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Novikov S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Novikov S
通过 X 射线吸收和发射研究无序 GaN 的填充态和空态
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Ruck;A. Koo;U. Lanke;F. Budde;H. Trodahl;G. Williams;A. Bittar;J. Metson;E. Nodwell;T. Tiedje;A. Zimina;S. Eisebitt
通讯作者：
S. Eisebitt
通过气源分子束外延生长的 GaN 的富 GaN 面
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Iwata;H. Asahi;K. Asami;Reiko Kuroiwa;S. Gonda
通讯作者：
S. Gonda
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Zhao;F. Deng;S. Lau;C. Tu
通讯作者：
C. Tu