Crystal shape of GaAs nanocrystals deposited on Si(100) by molecular beam epitaxy
Crystal shape of GaAs nanocrystals deposited on Si(100) by molecular beam epitaxy
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分子束外延沉积在 Si(100) 上的 GaAs 纳米晶的晶体形状
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroyuki Usui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroyuki Usui Hidehiro Yasuda;and Hirotaro Mori;Hiroyuki Usui
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DOI：
10.1143/jjap.42.4166
发表时间：
2003-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K
“激光分子束外延法室温生长 AIN/TiN 外延多层”固体薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Thin Solid Films 516
影响因子：
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作者：
Miao Zhang;・広川 二郎・安藤 真;Wakana Hara;Wakana Hara
通讯作者：
Wakana Hara
自组织Ge量子点的原位RHEED控制
影响因子：
2.1
作者：
A. Nikiforov;V. Cherepanov;O. Pchelyakov;A. Dvurechenskii;A. Yakimov
通讯作者：
A. Yakimov
光电集成系统的光电器件和材料技术
影响因子：
1.5
作者：
I. Hayashi
通讯作者：
I. Hayashi
应变外延生长过程中团簇的平衡尺寸分布
DOI：
10.1016/s0921-5107(99)00206-8
发表时间：
1999
影响因子：
3.6
作者：
G. Medeiros;T. Kamins;D. Ohlberg;R. S. Williams
通讯作者：
R. S. Williams