Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer.
Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer.
复制标题
DOI：
10.1126/sciadv.abf5011
复制
发表时间：
2021-07
期刊：
影响因子：
13.6
通讯作者：
Liu Z
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ren F;Liu B;Chen Z;Yin Y;Sun J;Zhang S;Jiang B;Liu B;Liu Z;Wang J;Liang M;Yuan G;Yan J;Wei T;Yi X;Wang J;Zhang Y;Li J;Gao P;Liu Z;Liu Z
氮化物半导体的异质外延可以在不需要两种材料系统之间的晶格匹配的情况下实现。货车德瓦尔斯外延为先进电子学和光电子学的各种材料的单片集成提供了肥沃的操场。在这里，以前未识别的纳米棒辅助的货车德瓦尔斯外延开发和近单晶GaN薄膜首先生长在无定形二氧化硅玻璃衬底上使用石墨烯界面层。外延GaN基发光二极管结构，具有创纪录的内部量子效率，可以很容易地剥离，成为大尺寸的柔性器件。没有来自单晶衬底的势场的影响，我们期望这种方法同样适用于任意衬底上的氮化物的高质量生长。我们的工作为高质量半导体的生长提供了革命性的技术，从而实现了高度失配材料系统的异质集成。
The heteroepitaxy of nitride semiconductors can be achieved without needing lattice matching between two material systems. Van der Waals epitaxy provides a fertile playground for the monolithic integration of various materials for advanced electronics and optoelectronics. Here, a previously unidentified nanorod-assisted van der Waals epitaxy is developed and nearly single-crystalline GaN films are first grown on amorphous silica glass substrates using a graphene interfacial layer. The epitaxial GaN-based light-emitting diode structures, with a record internal quantum efficiency, can be readily lifted off, becoming large-size flexible devices. Without the effects of the potential field from a single-crystalline substrate, we expect this approach to be equally applicable for high-quality growth of nitrides on arbitrary substrates. Our work provides a revolutionary technology for the growth of high-quality semiconductors, thus enabling the hetero-integration of highly mismatched material systems.
登录
查看更多内容
影响因子：
64.8
作者：
通讯作者：
--
影响因子：
64.8
作者：
Kim, Yunjo;Cruz, Samuel S.;Kim, Jeehwan
通讯作者：
Kim, Jeehwan
纳米图案蓝宝石衬底上石墨烯辅助准范德华外延用于紫外发光二极管的 AlN 薄膜
影响因子：
4
作者：
Chang, Hongliang;Chen, Zhaolong;Wei, Tongbo
通讯作者：
Wei, Tongbo
影响因子：
35
作者：
Choi, Jun Hee;Zoulkarneev, Andrei;Kim, Kinam
通讯作者：
Kim, Kinam
影响因子：
3.7
作者：
Feldbauer, G.;Wolloch, M.;Vernes, A.
通讯作者：
Vernes, A.