The leakage current mechanisms in the Schottky diode with a thin Al layer insertion between Al0.245Ga0.755N/GaN heterostructure and Ni/Au Schottky contact
The leakage current mechanisms in the Schottky diode with a thin Al layer insertion between Al0.245Ga0.755N/GaN heterostructure and Ni/Au Schottky contact
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Al0.245Ga0.755N/GaN 异质结构和 Ni/Au 肖特基接触之间插入薄 Al 层的肖特基二极管中的漏电流机制
DOI：
10.1088/1674-1056/18/4/054
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发表时间：
2009-04
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wang Peng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lin Fang;Huang Sen;Yao Jian-Quan;Wang Tao;Xu Fu-Jun;Ma Nan;Shen Bo;Liu Fang;Wang Peng
本文研究了在Al_（0.245）Ga_（0.755）N/GaN异质结和Ni/Au肖特基接触之间插入薄Al插入层的肖特基二极管在25-350 °C温度范围内的反向偏置漏电流行为。它比较
This paper investigates the behaviour of the reverse-bias leakage current of the Schottky diode with a thin Al inserting layer inserted between Al0.245Ga0.755N/GaN heterostructure and Ni/Au Schottky contact in the temperature range of 25–350 °C. It compar
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