Investigation of Arrays of Two-Dimensional High-$T_\text{C}$ SQUIDs for Optimization of Electrical Properties
Investigation of Arrays of Two-Dimensional High-$T_\text{C}$ SQUIDs for Optimization of Electrical Properties
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研究二维 High-$T_ ext{C}$ SQUID 阵列以优化电性能
DOI：
10.1109/tasc.2019.2904481
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发表时间：
2019
影响因子：
1.8
通讯作者：
Cybart, Shane A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cho, Ethan Y.;Zhou, Yuchao W.;Khapaev, Mikhail M.;Cybart, Shane A.
在这项工作中，我们研究了高TC超导量子干涉器件（SQUID）的二维阵列，以优化其电传输特性。具体来说，我们研究了串联段之间具有不同电极配置的器件，以深入了解偏置电流方向上的阵列间距如何影响电压磁场特性。我们的结果表明，对于大于穿透深度的间距尺寸，相互作用是最小的。此外，电压场特性的比较揭示了随着平行方向上的 SQUID 数量从 1 增加到 6，调制电压更高，峰值更窄。对于数量大于 6 的并联 SQUID，观察到的变化很小。这些结果表明了在小区域内扩展大量 SQUID 的 SQUID 阵列的途径。
In this work, we investigate two-dimensional arrays of high-TCsuperconducting quantum interference devices (SQUIDs) for optimization of their electrical transport characteristics. Specifically, we look at devices with different electrode configurations in between the series segments to gain insight into how the array spacing, in the direction of the bias current, affects the voltage magnetic field characteristics. Our results suggest that for spacing dimensions greater than the penetration depth interactions are minimal. Furthermore, comparisons of voltage field characteristics reveal higher modulation voltages and narrower peaks with as the numbers of SQUIDs in the parallel direction increases from 1 to 6. For larger numbers of SQUIDs in parallel greater than six little change is observed. These results suggest a pathway to SQUID array scaling for very large numbers of SQUIDs within in a small area.
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