A Body Bias Generator with Low Supply Voltage for Within-Die Variability Compensation
A Body Bias Generator with Low Supply Voltage for Within-Die Variability Compensation
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一种用于芯片内变异补偿的低电源电压体偏置发生器
DOI：
10.1587/transfun.e97.a.734
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hidetoshi ONODERA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Norihiro KAMAE;Akira TSUCHIYA;Hidetoshi ONODERA
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使用可用于 1.2V 设计的基于单元的正向体偏置电路的工艺变化补偿方案
DOI：
10.1109/cicc.2008.4672012
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE Custom Integrated Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
F. Tachibana;Hironori Sato;T. Yamashita;H. Hara;T. Kitahara;S. Nomura;F. Yamane;Y. Tsuboi;Keiko Seki;Shuuji Matsumoto;Yoshinori Watanabe;M. Hamada
通讯作者：
M. Hamada
RTA 驱动的芯片内阶段延迟变化以及 65nm 技术的参数灵敏度
DOI：
10.1109/vlsit.2006.1705271
发表时间：
2006
期刊：
2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers.
影响因子：
--
作者：
I. Ahsan;N. Zamdmer;O. Glushchenkov;R. Logan;E. Nowak;H. Kimura;J. Zimmerman;G. Berg;J. Herman;E. Maciejewski;A. Chan;A. Azuma;S. Deshpande;B. Dirahoui;G. Freeman;A. Gabor;M. Gribelyuk;S. Huang;M. Kumar;K. Miyamoto;D. Mocuta;A. Mahorowala;E. Leobandung;H. Utomo;B. Walsh
通讯作者：
B. Walsh
用于具有电源电压缩放功能的数字 CMOS 电路的正向偏置发生器
DOI：
10.1109/iscas.2010.5537129
发表时间：
2010
期刊：
Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
--
作者：
M. Meijer;J. P. D. Gyvez;B. Kup;Bert van Uden;P. Bastiaansen;Marco Lammers;M. Vertregt
通讯作者：
M. Vertregt
用于实现低于 100 ns 睡眠到活动模式转换时间的背栅偏置加速器
影响因子：
5.4
作者：
D. Levacq;M. Takamiya;T. Sakurai
通讯作者：
T. Sakurai