Extended Wavelength Emission to 1.3 μm in Nitrided InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots
Extended Wavelength Emission to 1.3 μm in Nitrided InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots
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氮化 InAs/GaAs 自组装量子点的发射波长扩展至 1.3 μm
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Kita
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Fujisawa;M.Koshiba;T.Kita
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