Si(001)表面における電子線励起反応プロセスの実時間光学計測
Si(001)表面における電子線励起反応プロセスの実時間光学計測
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Si(001)表面电子束激发反应过程的实时光学测量
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大野真也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tanaka;K. Shudo;S. Ohno;T. Iida;S. Ohno;S. Ohno;大野真也;大野真也;大野真也;大野真也
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影响因子：
2.1
作者：
S. Shiryaev;E. Pedersen;F. Jensen;J. W. Petersen;J. L. Hansen;A. Larsen
通讯作者：
A. Larsen
生长机制和聚类现象：Ge-on-Si 系统。
DOI：
10.1103/physrevb.39.7848
发表时间：
1989
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Zinke;Feldman;Nakahara;Davidson
通讯作者：
Davidson
半导体异质结构在图案化基板上的生长：缺陷减少和纳米结构
影响因子：
2.1
作者：
A. Madhukar
通讯作者：
A. Madhukar
Si(001)上生长的Ge岛尺寸分布
影响因子：
4
作者：
M. Goryll;L. Vescan;K. Schmidt;S. Mesters;H. Lüth;K. Szot
通讯作者：
K. Szot
GaAs 上垂直自组织 InAs 三维岛量子盒发射激光的观测 (001)
影响因子：
2.6
作者：
Q. Xie;A. Kalburge;P. Chen;A. Madhukar
通讯作者：
A. Madhukar