Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties
Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties
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基于发光特性的 InGaN/GaN 激光衰减研究
DOI：
10.1063/1.4953236
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发表时间：
2016-06
影响因子：
3.2
通讯作者：
Yang Hui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wen Pengyan;Zhang Shuming;Liu Jianping;Li Deyao;Zhang Liqun;Sun Qian;Tian Aiqin;Zhou Kun;Zhou Taofei;Yang Hui
从发光特性出发，研究了InGaN/GaN半导体激光器（LD）的退化问题。随着阈值电流的增加和斜率效率的降低，LD的性能逐渐退化。LD的阴极发光和光致发光特性表明脊下有源区的退化与位错无关。温度相关的显微光致发光和电致发光的详细研究表明，LD的退化归因于低铟含量的局域多量子阱区中的非辐射复合中心的产生。非辐射复合中心的激活能约为10.2 meV。
Degradation of InGaN/GaN laser diode (LD) is investigated based on the luminescence properties. Gradual degradation of the LD is presented with the threshold current increase and the slope efficiency decrease. The cathodoluminescence and photoluminescence characterizations of the LD show a dislocation independent degradation of the active region under the ridge. Detailed studies on the temperature-dependent micro-photoluminescence and the electroluminescence indicate that the degradation of the LD is attributed to the generation of non-radiative recombination centers in the local multiple quantum well regions with lower indium content. The activation energy of the non-radiative recombination centers is about 10.2 meV.
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Deng, Zhen;Jiang, Yang;Ma, Ziguang;Wang, Wenxin;Jia, Haiqiang;Zhou, Junming;Chen, Hong
通讯作者：
Chen, Hong
影响因子：
4
作者：
Wang, T;Bai, J;Ho, JK
通讯作者：
Ho, JK
影响因子：
3.2
作者：
A. Martín-Martín-A.-Martín-Martín-1423471189;P. Íñiguez;J. Jiménez;M. Oudart;J. Nagle
通讯作者：
A. Martín-Martín-A.-Martín-Martín-1423471189;P. Íñiguez;J. Jiménez;M. Oudart;J. Nagle
DOI：
10.1002/pssa.200405114
发表时间：
2004-09
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
O. Nam;K. Ha;J. Kwak;S. Lee;K. K. Choi-K.;T. Chang;S. Chae;W. S. Lee;Y. Sung;H. Paek
通讯作者：
O. Nam;K. Ha;J. Kwak;S. Lee;K. K. Choi-K.;T. Chang;S. Chae;W. S. Lee;Y. Sung;H. Paek
DOI：
10.1142/p568
发表时间：
2008-08
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Z. Feng
通讯作者：
Z. Feng