Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Elecrical Charging Characteristics
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锗核硅量子点杂质掺杂对其带电特性的影响
DOI：
--
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Makihara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku;S. Mahboob;Y. Sakurai;S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara;K. Makihara;K. Shimanoe;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara
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