Solution Processed AlInO/In2O3 Heterostructure Channel Thin Film Transistor with Enhanced Performance
Solution Processed AlInO/In2O3 Heterostructure Channel Thin Film Transistor with Enhanced Performance
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具有增强性能的溶液处理 AlInO/In2O3 异质结构沟道薄膜晶体管
DOI：
10.1002/aelm.201900550
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发表时间：
2019-08
影响因子：
6.2
通讯作者：
Pei Yanli
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Ling;Chen Shujian;Liang Xiaoci;Pei Yanli
具有溶液处理的AlInO/In 2 O3异质结构沟道的薄膜晶体管（TFT）被证明具有增强的性能。具有不同Al浓度的具有单个AlInO沟道的TFT用于比较。铝的适宜浓度
Thin film transistors (TFTs) with solution processed AlInO/In2O3 heterostructure channels are demonstrated with enhanced performance. TFTs with single AlInO channels with various Al concentrations are used for comparison. Appropriate concentrations of Al
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