PL characteristics of InAs quantum dots with Sb irradiation in growth interruption
PL characteristics of InAs quantum dots with Sb irradiation in growth interruption
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Sb辐照InAs量子点生长中断的PL特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tetsuya Matsuura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haruichi Kanaya;et. al.;Jian Ping Gong;X.Q.Zhang;X. T. Hao;Tetsuya Matsuura
分子束外延生长GaInAsSb覆盖(Ga)InAs量子点发射波长的延长
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. vol.43 no.1AB
影响因子：
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作者：
Satoshi Ueno;Toshiki Naganawa;Yasuo Kokubun;坂口 高宏 et al.;T. Ikame;H. Haga;Makoto Sugihara et al.;T. Makino;Toru Miura;Haruichi Kanaya et al.;A. Patnaik;Haruichi Kanaya et al.;Tetsuya Matsuura
通讯作者：
Tetsuya Matsuura
高性能 CW 1.26 µm GaInNAsSb-SQW 和 1.20 µm GaInAsSb-SQW 脊形激光器
影响因子：
1.1
作者：
H. Shimizu;K. Kumada;S. Uchiyama;A. Kasukawa
通讯作者：
A. Kasukawa
影响因子：
4
作者：
Liu, HY;Hopkinson, M
通讯作者：
Hopkinson, M