Fabrication of Large-Area Suspended MEMS Structures Using GaN-on-Si Platform
Fabrication of Large-Area Suspended MEMS Structures Using GaN-on-Si Platform
复制标题
使用 GaN-on-Si 平台制造大面积悬浮 MEMS 结构
DOI：
10.1109/led.2009.2028905
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发表时间：
2009-09
影响因子：
4.9
通讯作者：
Zhang, Baoshun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan, Guizhen;Cai, Yong;Yang, Zhenchuan;Lin, Wenkui;Lv, Jianan;Chen, Kevin J.;Zhang, Baoshun
在这封信中，具有大尺寸的悬浮氮化镓（GaN）微结构的压敏元件制造与两步干释放技术使用的GaN上的Si平台。悬浮微结构与高压敏AlGaN/GaN异质结构集成为传感单元，实现GaN基集成微传感器。为了表征所制造的微结构的残余应力分布，采用了显微拉曼光谱。采用该工艺制作了一个250 × 250-mum 2质量标准面积的微加速度计结构，并通过弯曲实验对集成传感元件的压电响应特性进行了表征。
In this letter, piezosensitive elements featuring large-size suspended gallium nitride (GaN) microstructures are fabricated with a two-step dry-release technique using the GaN-on-Si platform. The suspended microstructures are integrated with highly piezosensitive AlGaN/GaN heterostructures as sensing units to realize the GaN-based integrated microsensors. To characterize the residual-stress distribution of the fabricated microstructures, micro-Raman spectroscopy is employed. A microaccelerometer structure with a 250 times 250-mum2 proof-mass area is fabricated with the proposed fabrication technique, and the piezoresponse properties of the integrated sensing elements are characterized through bending experiment.
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影响因子：
4.6
作者：
M. Placidi;J. Moreno;P. Godignon;N. Mestres;É. Frayssinet;F. Semond;C. Serre
通讯作者：
M. Placidi;J. Moreno;P. Godignon;N. Mestres;É. Frayssinet;F. Semond;C. Serre
影响因子：
4
作者：
S. Vicknesh;S. Tripathy;V. K. Lin;Lianshan Wang;S. Chua
通讯作者：
S. Vicknesh;S. Tripathy;V. K. Lin;Lianshan Wang;S. Chua
DOI：
10.1109/iedm.2005.1609333
发表时间：
2005-12
期刊：
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest.
影响因子：
--
作者：
Zhenchuan Yang;Ruonan Wang;Deliang Wang;Baoshun Zhang;K.J. Chen;K. Lau
通讯作者：
Zhenchuan Yang;Ruonan Wang;Deliang Wang;Baoshun Zhang;K.J. Chen;K. Lau
影响因子：
3.2
作者：
K. Tonisch;C. Buchheim;F. Niebelschütz;A. Schober;G. Gobsch;V. Cimalla;O. Ambacher;R. Goldhahn
通讯作者：
K. Tonisch;C. Buchheim;F. Niebelschütz;A. Schober;G. Gobsch;V. Cimalla;O. Ambacher;R. Goldhahn
DOI：
10.1115/micronano2008-70037
发表时间：
2008
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Lv;Zhenchuan Yang;K. J. Chen
通讯作者：
J. Lv;Zhenchuan Yang;K. J. Chen