Exciton dynamics in AlGaN epitaxial films
Exciton dynamics in AlGaN epitaxial films
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AlGaN 外延薄膜中的激子动力学
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hirano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.;Hirano
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AlGaN 量子阱中的光致发光效率
影响因子：
2.8
作者：
G. Tamulaitis;J. Mickevičius;J. Jurkevičius;M. Shur;M. Shatalov;J. Yang;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska
AlN衬底上的中紫外发光二极管光学和电学性能的相关性
DOI：
10.1002/pssc.201300686
发表时间：
2014
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
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作者：
C. Moe;G. Garrett;J. Grandusky;Jianfeng Chen;L. E. Rodak;P. Rotella;M. Wraback;L. Schowalter
通讯作者：
L. Schowalter
AlGaN 外延层和异质结构中的光学损伤阈值低
影响因子：
3.2
作者：
T. Saxena;G. Tamulaitis;M. Shatalov;Jinwei Yang;R. Gaska;M. Shur
通讯作者：
M. Shur
通过扫描近场光谱研究 AlGaN 外延薄膜的局域化电位
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
Andrea Pinos;V. Liuolia;S. Marcinkevičius;J. Yang;R. Gaska;M. Shur
通讯作者：
M. Shur
第 5 章 – 半导体中载流子扩散和迁移率的瞬态光栅研究
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Miller
通讯作者：
A. Miller