Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth
Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth
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在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率
DOI：
10.7567/1347-4065/ab1125
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fujimoto Satoru;Itakura Hideyuki;Tanikawa Tomoyuki;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
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影响因子：
2.3
作者：
T. Tanikawa;Kazuki Ohnishi;M. Kanoh;T. Mukai;T. Matsuoka
通讯作者：
T. Tanikawa;Kazuki Ohnishi;M. Kanoh;T. Mukai;T. Matsuoka
影响因子：
2.3
作者：
M. Imade;Yasuhiro Hirabayashi;Y. Konishi;H. Ukegawa;N. Miyoshi;M. Yoshimura;T. Sasaki;Y. Kitaoka;Y. Mori
通讯作者：
M. Imade;Yasuhiro Hirabayashi;Y. Konishi;H. Ukegawa;N. Miyoshi;M. Yoshimura;T. Sasaki;Y. Kitaoka;Y. Mori
影响因子：
4
作者：
NAKAMURA, S;MUKAI, T;SENOH, M
通讯作者：
SENOH, M
使用面控制技术可视化 HVPE 生长的 GaN 中的位错行为
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Matsubara;Shin Goubara;Kota Yukizane;Ryo Inomoto;N. Okada;K. Tadatomo
通讯作者：
K. Tadatomo
影响因子：
3.2
作者：
Yamane, Keisuke;Matsubara, Tohoru;Tadatomo, Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo, Kazuyuki